賽默飛CID檢測(cè)器的讀數(shù)方法介紹

　　賽默飛CID檢測(cè)器是一種電荷注入器件，其基本結(jié)構(gòu)與CCD相似，也是一種MOS結(jié)構(gòu)，當(dāng)柵極上加上電壓時(shí)，表面形成少數(shù)載流子(電子)的勢(shì)阱，入射光子在勢(shì)阱鄰近被吸收時(shí)，產(chǎn)生的電子被收集在勢(shì)阱里，其積分過(guò)程與CCD一樣。

　　賽默飛CID檢測(cè)器是為了適應(yīng)全譜直讀電感耦合等離子體光譜儀的二維分光色散系統(tǒng)而推出的平面檢測(cè)器，統(tǒng)稱為電荷轉(zhuǎn)移檢測(cè)器。CID是一種具有電容特性的檢測(cè)器，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)紅外敏感，因此需要鍍膜將紫外光轉(zhuǎn)換為紅端的光;由于靈敏度差、讀數(shù)噪聲大，CID采用一種叫非破壞性讀數(shù)的方式不斷累積電荷提高靈敏度，同時(shí)從統(tǒng)計(jì)學(xué)意義上賽默飛CID檢測(cè)器可以降低讀數(shù)噪聲。

　　一個(gè)單獨(dú)的賽默飛CID檢測(cè)器檢測(cè)單元包括兩個(gè)導(dǎo)電性的電極和引線，做在一個(gè)很薄的硅氧化物或氮化物絕緣層上，即橫向電極和縱向電極，在橫向電極上有一個(gè)讀數(shù)放大器，兩個(gè)電極之間加以偏壓，開始積分時(shí)，先在row上加以很小的正電壓，而在column上加以很小的負(fù)電壓，光照在檢測(cè)器表面上時(shí)，產(chǎn)生的正電荷向column電極上聚集，當(dāng)讀數(shù)時(shí)，將row上的負(fù)電壓去掉，同時(shí)將column上的電壓轉(zhuǎn)為小的正電壓，電荷從column上轉(zhuǎn)移到row上，即可讀出在row上聚集的電荷所產(chǎn)生的電壓，此為一次讀數(shù)。又經(jīng)過(guò)一段積分后，將column上加以負(fù)電壓，row上加以正電壓，此時(shí)電荷從row電極下轉(zhuǎn)移到column電極下，此時(shí)又可讀出row電極上的電壓變化，即二次讀數(shù)，然后再在row上加以負(fù)電壓，column上加以正電壓，使電荷再轉(zhuǎn)移回到row電極下，并重復(fù)一次讀數(shù)的過(guò)程，當(dāng)全部積分結(jié)束，進(jìn)行一次讀數(shù)時(shí)，在兩個(gè)電極上同時(shí)加以正電壓，使電荷注入CID基體，此時(shí)讀出row電極上電壓的變化即為賽默飛CID檢測(cè)器讀數(shù)的結(jié)果。